ロジャー・フィンガス
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Intel と Micron は、Mac、iPhone、iPad、その他多数のデバイスで保存可能なデータ量を大幅に向上できる新しい 3D NAND フラッシュ テクノロジのリリースを発表しました。
従来の平面型NANDフラッシュメモリとは異なり、3D NANDは32層に垂直に積層されています。Intelによると、これにより容量を3倍に増やすことが可能で、例えば3.5テラバイトを超えるストレージ容量を持つ「ガムサイズ」のソリッドステートドライブや、10テラバイトを超える従来の2.5インチソリッドステートドライブ（SSD）などが可能になります。カスタム構成のiMacやMac Proに搭載されているSSDでさえ、現状では1テラバイトが上限です。
この技術は、高速性、ギガバイトあたりのコスト削減、耐久性の向上など、様々な付随的なメリットをもたらすと言われています。また、他のダイが使用されている間、非アクティブなNANDダイへの電力供給を遮断する新しいスリープモードを実現することで、消費電力も削減できるとされています。
インテルによると、256ギガビットのマルチレベルセル（MLC）版メモリは現在、「厳選されたパートナー」でサンプル出荷中だ。より高密度な384ギガビットのトリプルレベルセル（TLC）版は、今シーズン後半にサンプル出荷される予定だ。両メモリとも2015年第4四半期までに本格生産開始予定で、対応するインテルおよびマイクロンのSSD製品ラインは「来年中」に発売される予定だ。
Appleの場合、この技術によってMacの従来のハードディスクを完全に廃止し、iOSデバイスのストレージ不足の不安をほぼ解消できる可能性があります。iPhoneとiPadは昨年、中級モデルと上級モデルの容量を倍増させましたが、下位モデルは16GBのままで、アプリ、写真、動画、音楽などを持ち運べる容量の制限がますます厳しくなっています。
一方、東芝は、BiCS（Bit Cost Scaling）と呼ばれる垂直積層方式を採用した48層MLCフォーマットの3Dフラッシュメモリを発表しました。このメモリは1チップあたり128ギガビットの記憶容量を備え、木曜日にサンプル出荷を開始しました。量産は日本の新工場での生産開始を待っており、完成は2016年上半期を予定しています。
